Screen Name: 人才76116'
Created At: 2024-03-26 08:55:00
Censored At: 2024-03-27 08:57:07
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【华为公开半导体制造方法专利曝光：四重曝光工艺专利，大家猜猜干啥的？】近日国家知识产权局公布了华为的一项专利“自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置 ”（Self-Aligned Quad Patterning，简称 SAQP），这也就是江湖传闻已久的黑科技即多重曝光芯片制造工艺。 简单地说，多重曝光就是将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用 7nm 设备造出 5nm 芯片。 这项技术有望进一步减少对高端光刻技术的依赖，并可能在没有荷兰阿斯麦（ASML）最先进极紫外光刻设备（EUV）的支持下，生产出高性能。专利融合了深紫外光刻技术（DUV）、制造机械以及 SAQP 技术，可突破 5 纳米生产的某些技术瓶颈。此方法能够避免使用 EUV 设备，同时降低制造成本。华为这次公开的专利显示，其自对准四重图案化工艺可以分为七个步骤：1、在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层；2、对第一图案化硬掩膜层进行光刻形成第二图案化硬掩膜层；3、基于第二图案化硬掩膜层为掩膜对第二抗反射层和第一牺牲层进行刻蚀，形成第二图案化牺牲层；4、去除第二图案化硬掩膜层和第二抗反射层，并基于第二图案化牺牲层形成第三图案化硬掩膜层；5、对第三图案化硬掩膜层进行光刻形成第四图案化硬掩膜层；6、基于第四图案化硬掩膜层对第一抗反射层和待刻蚀层进行刻蚀，形成图案化的待刻蚀层。也就是说，华为把传统一次完成的工作拆分成了四次，需要多达四层蚀刻，其难度可想而知。收起
